[发明专利]一维酞菁化合物纳米薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于有机半导体薄膜材料技术领域，具体为一种一维酞菁类化合物纳米薄膜及其制备方法。该薄膜由酞菁类化合物经电化学沉积法制备获得，厚度为15－500nm，酞菁类化合物为酞菁铝、酞菁铜、酞菁钴、酞菁镍、酞菁氧钛或酞菁氧钒等。本发明可通过调控电沉积的电压、电流、沉积液浓度、电极等因素，制备得不同形态和结构的一维酞菁类有机纳米薄膜，方法简便易行，效率高，成本低，成膜均匀，薄膜的热稳定性高，易于工业化生产。本发明可用于导电、传感和光电转换材料等领域。

主权项

1、一种一维酞菁化合物纳米薄膜，其特征在于由酞菁化合物用电化学沉积法制备获得，厚度为15-500nm；其中，酞菁化合物为酞菁铝、酞菁铜、酞菁钴、酞菁镍、酞菁氧钛或酞菁氧钒，或者是取代基团为C1～C12脂肪烃基、C1～C12烷氧基、卤素基、羟基、硝基或羧酸基的取代酞菁铜、取代酞菁钴、取代酞菁镍、取代酞菁氧钛或取代酞菁氧钒。