[发明专利]坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法

摘要

本发明涉及一种坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法，属于晶体生长领域。本发明生长装置中，生长坩埚10与原料补给坩埚8相连通，补给坩埚可套在生长坩埚的外部。生长坩埚的顶部或补给坩埚的底部连接坩埚升降机构3。提拉旋转系统包括提拉旋转机构2、籽晶杆11。加热控温机构4与加热元件7相连构成加热控温系统，用以控制坩埚的温度。称量装置1与提拉旋转机构2和坩埚升降机构3相连接，根据提拉所得的晶体重量控制生长坩埚或补给坩埚的升降，将原料补给坩埚中的熔体补入生长坩埚。采用本发明的生长装置和方法获得的单晶成分均匀性高、成分可调整、光学均匀性好、尺寸大，本发明的生长设备简单、成本低。

主权项

1、坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置，包括提拉旋转系统(2、11)、加热控温系统(4、7)和称重系统(1)，其特征在于装置组成还包括坩埚升降机构3和多坩埚系统(8、10)；所述的坩埚升降机构与称量系统相连；所述的多坩埚系统包括相互连通的一个生长坩埚(10)和一个或多个补给坩埚(8)。