[发明专利]氧气氛下等离子氧化制备二氧化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 200410089089.X | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1619783A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;席珍强;陈涛;龚灿峰;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/473 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及氧气氛下等离子氧化制备二氧化硅薄膜的方法。其步骤如下：先清洗硅片衬底去除表面自然氧化层，然后将硅片放入等离子体增强化学气相沉积装置的反应腔，反应腔抽真空至0.1～10Pa，将硅片加热至200℃～500℃，按流量100sccm～300sccm充入氧气，将等离子体增强化学气相沉积装置的射频电源功率调节至50W～100W，使射频电源电极间的气体发生辉光放电，进行等离子体氧化，氧化时间0.5h～2h，得二氧化硅薄膜。本发明方法仅用一种氧气气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。制得的二氧化硅薄膜厚度低于10nm，可用于晶体硅太阳能电池的双层减反射层或甚大规模集成电路的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧气 下等 离子 氧化 制备 二氧化硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.氧气氛下等离子氧化制备二氧化硅薄膜的方法，其步骤如下：先清洗硅片衬底去除表面自然氧化层，然后将硅片放入等离子体增强化学气相沉积装置的反应腔，反应腔抽真空至0.1～10Pa，将硅片加热至200℃～500℃，按流量100sccm～300sccm充入氧气，将等离子体增强化学气相沉积装置的射频电源功率调节至50W～100W，使射频电源电极间的气体发生辉光放电，进行等离子体氧化，氧化时间0.5h～2h，得二氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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