[发明专利]一种提高CMP设备使用效率的方法无效
| 申请号： | 200410089217.0 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787179A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张震宇;金新;陈毅俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明有关一种提高CMP设备使用效率的方法，首先使用Pilot片测定原研磨速率；接着根据Pilot研磨速率和制品的研磨量算得的研磨时间进行制品作业；然后利用MTE测定制品的残膜厚度，并将数据通过FCT传送至M/C，M/C计算出本制品作业时的研磨速率，更新原有速率值；次之，CMP设备控制PC从主机得到下一制品的研磨条件，且MTE可以测定出下一制品的前膜厚度值，并传送至M/C；M/C根据最新研磨速率计算出下一制品的研磨时间并传送至CMP设备控制PC；最后，CMP设备控制PC控制CMP设备进行制品研磨。由于上述方法不需要多次通过Pilot计算研磨速率，提高了CMP设备的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 cmp 设备 使用 效率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高CMP设备使用效率的方法，CMP设备研磨系统包括主机，与主机相连的CT及FCT，在CT上具有CMP设备控制PC，该CMP设备控制PC上进一步连接有CMP设备，而FCT上连接有MTE，上述FCT与CMP设备控制PC通过M/C相连接，其特征在于：第一步，使用Pilot片测定原研磨速率；第二步，利用MTE测定制品的前膜厚度，从主机得到研磨条件转换为相应的研磨量；第三步，根据Pilot研磨速率和制品的研磨量算得的研磨时间进行制品作业；第四步，利用MTE测定制品的残膜厚度，并将数据通过FCT传送至M/C；第五步，M/C计算出本制品作业时的研磨速率，更新原有速率值，![]()
其中K为系数，需要在具体制品中优化；第六步，M/C根据下一制品的前膜值和新研磨速率，计算出研磨时间，并将时间指令发送至CMP设备控制PC；第七步，CMP设备控制PC控制CMP设备进行下一制品研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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