[发明专利]一种自对准硅化合金阻挡集成优化的方法有效
| 申请号： | 200410089220.2 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787184A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 马巍;陈华伦;周贯宇;虞军毅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318;H01L21/3105;H01L21/027;H01L21/3205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准硅化合金阻挡集成优化的方法，首先，生长两层半导体器件侧墙所需的介质膜；利用光刻技术将自对准硅化合金阻挡的图案印在所述介质膜上；其次，对硅片进行选择比高的干法刻蚀；接着，完成去胶，剥离工序；然后进行下一步工艺，直到自对准硅化合金工艺。本发明可以减小刻蚀中所产生的损伤，改善器件漏电。适用于CMOS半导体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 化合 阻挡 集成 优化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自对准硅化合金阻挡集成优化的方法，其特征在于：包括如下步骤：首先，生长两层半导体器件侧墙所需的介质膜，其中，第一层为USG，第二层为氮化膜；利用光刻技术将自对准硅化合金阻挡的图案印在所述介质膜上；其次，对硅片进行选择比高的干法刻蚀；接着，完成去胶，剥离工序；然后进行下一步工艺，直到自对准硅化合金工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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