[发明专利]减小I/O NMOS器件热载流子注入的方法有效
| 申请号： | 200410089222.1 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787192A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小I/O NMOS器件热载流子注入的方法，在LDD中采用低剂量的砷注入加磷注入代替常规的单一磷注入，并在LDD中采用磷离子注入后，取消常规的LDD快速热退火工艺，使得LDD中的磷原子在点缺陷的帮助下增强扩散，增大结的浓度梯度，从而改善HCI。本发明可以克服常规工艺中单纯依靠增加LDD注入能量所引起的短沟道效应和晶体管特性的偏移。适用于I/O NMOS器件制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 nmos 器件 载流子 注入 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减小I/O NMOS器件热载流子注入的方法，首先，进行多晶硅栅刻蚀，再进行多晶硅栅再氧化，其特征在于：然后，进行LDD快速热退火，退火后，先在LDD中采用小剂量的砷离子注入，接着在LDD中采用磷离子注入，最后进行多晶硅侧墙淀积与刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
