[发明专利]浅沟槽隔离工艺中化学机械研磨工艺窗口确定方法

摘要

本发明公开了一种STI CMP工艺窗口确定方法，首先，在最佳估计的研磨时间上下递增和递减时间，记录下氮化硅残留的膜厚以及相对应的时间；然后对所有的硅片进行光学显微镜观察；接着，对所有无色差的硅片跳过氢氟酸腐蚀，直接用磷酸腐蚀，然后，对所有硅片进行光学显微镜观察；最后将CMP研磨时间工艺窗口的低段和高段之间的氮化膜的差以及所对应的研磨时间段确定为STI CMP工艺窗口。本发明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨时间的工艺窗口，为后续优化工艺，缩短开发时间，提高产品良品率奠定基础。适用于半导体集成电路制造中的STI工艺。

主权项

1、一种STI CMP工艺窗口确定方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步、在最佳估计的研磨时间上下递增和递减时间，记录下氮化硅残留的膜厚以及相对应的时间；第二步、对所有的硅片进行光学显微镜观察，观察标准主要以色差为依据，记录下所有观测点都无色差的最长研磨时间和所有观测点都有色差的最短研磨时间，将该段确定为CMP研磨时间工艺窗口的高段；第三步、接着，对所有无色差的硅片跳过氢氟酸腐蚀，直接用磷酸腐蚀，然后，对所有硅片进行光学显微镜观察，观察标准主要以残留物为依据，记录下所有观测点都有残留的最长研磨时间和所有观测点都无残留的最短研磨时间，将该段确定为CMP研磨时间工艺窗口的低段；第四步、将所述高段和低段之间的氮化膜的差以及所对应的研磨时间段确定为STI CMP工艺窗口。