[发明专利]深沟槽型功率MOS管静电保护结构制造方法无效
| 申请号： | 200410089229.3 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787193A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈志伟;居宇涵;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/205;H01L21/3065;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法。首先淀积静电保护结构多晶硅，再形成静电保护结构中的一个PN结，在形成源的同时形成PN结的另一极，从而形成所需的静电保护结构，不必为形成静电保护结构而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 功率 mos 静电 保护 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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