[发明专利]金属－金属电容的制作方法有效
| 申请号： | 200410089230.6 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1787135A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 燕健硕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/005;H01G4/33;H01G13/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属－金属电容的制作方法，以平行的金属线代替大面积的金属板，在金属线上成长金属膜，以此增大单位层间膜面积上的电容接触面积，能在占用层间膜表面积保持最小的情况下具有较大的有效接触面积，提高芯片的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属—金属电容的制作方法，对于可以用等离子体的方法刻蚀的金属，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在层间膜上形成平行的金属线作为下极板的骨架；第二步，在金属线上贴切成长金属膜，膜厚为1nm-500nm；第三步，成长电容介质，膜厚为1nm-100nm；第四步，成长上极板的金属膜，膜厚为1nm-500nm。
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