[发明专利]双镶嵌工艺中的金属表面处理方法无效
| 申请号： | 200410089393.4 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787189A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 郭强 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双镶嵌工艺中的金属表面处理方法，应用在一双镶嵌(dual damascene)半导体结构中，此双镶嵌半导体结构具有一金属结构与一旋涂介电层位于金属结构上。旋涂介电层中至少具有一开口暴露出金属结构的一部分表面。在填充开口之前，先移除暴露表面上的一氧化物，之后以一离子处理暴露表面，其中以垂直暴露表面的一轴为基准、离子以相对在轴的一倾斜角度处理暴露表面。这样可避免暴露表面受到离子的损伤，并改善金属的暴露表面与后续填充物之间的粘着力。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 工艺 中的 金属表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双镶嵌工艺中的金属表面处理方法，包含：提供一双镶嵌半导体结构，该双镶嵌半导体结构具有至少一金属结构与一旋涂介电层位于该金属结构上，其中所述旋涂介电层中至少具有一开口暴露出该金属结构的一部分表面；移除该部分表面上的一氧化物；以及以一离子处理该部分表面，其中以垂直该部分表面的一轴为基准、该离子以相对于该轴的一倾斜角度处理该部分表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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