[发明专利]研磨去除率的实时测量方法无效
| 申请号： | 200410089396.8 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787196A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 叶闻君;李宗斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/304;B24B1/00;G01N21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种研磨去除率的实时测量方法，适用于一欲研磨的样品，其具有一已知折射率的一介电层表面。当研磨进行时，利用固定波长的入射光照射介电层表面，产生并接收特定时间内的折射光，最后根据上述已知折射率、固定波长与时间决定研磨去除率。这样可达到实时监测研磨去除率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 去除 实时 测量方法 | ||
【主权项】：
1、一种研磨去除率的实时测量方法，适用于一研磨工艺中，该实时测量方法包括下列步骤：提供欲研磨的一样品，该样品具有一已知折射率的一介电层表面；提供一研磨垫，用以移除部分该介电层表面；该研磨垫与该样品进行一相对运动，并且利用一固定波长的一入射光束照射该介电层表面以产生一折射光束；接收一时间内的该折射光束；及根据该已知折射率、该固定波长与该时间决定一研磨去除率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
