[发明专利]用修正的前脉冲的发射器频率优化预饱和的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200410089603.X 申请日: 2004-10-28
公开(公告)号: CN1323639C 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 卡西·V·阿吉兰达姆;马萨南姆·玛丽亚潘;赫马拉萨·科勒;文卡塔·R·斯沃米纳撒恩 申请(专利权)人: GE医药系统环球科技公司
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章;马莹
地址: 美国威*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供一种在核磁共振成像中用于优化预饱和的方法、系统和计算机程序产品。所述优化是通过为所有扫描切片设置正确的RF预饱和的发射器频率来实现的。从扫描腔体的磁场B0的分布中获得扫描腔体的每个扫描切片的B0磁场图。使用所述B0磁场图来计算穿过每个扫描切片的磁场B0的中间值。RF前脉冲的第一频率通过标准过程来获得。接着通过将穿过扫描切片的磁场B0的中间值与RF前脉冲的第一频率相加来计算每个扫描切片的RF前脉冲的第二频率。其后将在第二频率的RF前脉冲施加到扫描切片。
搜索关键词: 修正 脉冲 发射器 频率 优化 饱和 方法 系统
【主权项】:
权利要求书1.一种用MRI系统优化预饱和的方法,包括:a.创建磁场B0;b.自所述磁场B0为扫描腔体的每个切片创建B0图,每个扫描切片具有多个正和负扫描切片像素;c.为每个扫描切片确定RF前脉冲的第一频率;d.根据每个扫描切片的B0图计算磁场B0的中间值;e.计算每个扫描切片中的正和负扫描切片像素的百分比;f.通过将穿过扫描切片的磁场B0的中间值与RF前脉冲的第一频率相加来计算每个扫描切片的RF前脉冲的第二频率;以及g.将第二频率的RF前脉冲施加到每个扫描切片以优化预饱和。
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