[发明专利]可增加操作效率的单闸极非挥发性储存元件及操作方法

摘要

本发明提供一种可增加操作效率的单闸极非挥发性储存元件及其操作方法，利用传统CMOS制程，在一半导体基底内嵌一晶体管及一电容，晶体管包含一第一闸极堆叠在一第一介电层表面，且于第一闸极二侧形成复数第一离子掺杂区以作为源极及汲极；电容包含一第二离子掺杂区及其上堆叠第二介电层及一第二闸极，于第二离子掺杂区内设有一未接出的第三离子掺杂区，且于晶体管与电容的第一及第二闸极被连接而形成一单浮接闸极。本发明提供一种浮接闸极连接的电容内设有一未接出的第三离子掺杂区，使其产生高隔离效果而减少漏电流产生。

主权项

1.一种可增加操作效率的单闸极非挥发性储存元件，包括：一半导体基底；一晶体管，设置于该半导体基底的表面，该晶体管包括一第一介电层设置于该半导体基底表面上，一第一闸极位于叠设于该第一介电层上方，复数第一离子掺杂区设置于该第一闸极的两侧，以分别作为源极及汲极；以及一电容，设置于该半导体基底的表面，该电容包括一第二介电层设置于半导体基底表面上，一第二闸极叠设于该第二介电层上方，一第二离子掺杂区位于该第二闸极下方的半导体基底内，且于该第二离子掺杂区内的一侧有未接出的一第三离子掺杂区，其中，该第一及第二闸极被电连接且以一隔离材料隔离，以形成单浮接闸极。