[发明专利]交差点型强电介质存储器

摘要

本发明提供一种高质量的交差点型强电介质存储器。该交差点型强电介质存储器(100)，将第1存储器单元阵列(30)与第2存储器单元阵列(60)，通过介入第1层间绝缘层(20)与第2层间绝缘层(50)而层叠。第1存储器单元阵列(30)包括：形成为条纹状的下部电极36；在与下部电极(36)交叉的方向上形成为条纹状的上部电极(38)；配置在上部电极(36)与下部电极(38)的至少交叉部分中的强电介质电容器34；和形成在强电介质电容器(34)之间的嵌入式绝缘层(32)。第1层间绝缘层(20)，在第1绝缘层(24)与第2绝缘层(26)之间具有导电层(22)。

主权项

1、一种交差点型强电介质存储器，其特征在于，多个存储器单元阵列通过介入层间绝缘层进行层叠；所述存储器单元阵列包括：形成条纹状的下部电极、在与所述下部电极交叉的方向上形成条纹状的上部电极、包括配置在所述下部电极与所述上部电极的至少交叉部分上的强电介质部的强电介质电容器、和在所述强电介质电容器之间形成的嵌入式绝缘层；所述层间绝缘层在第1绝缘层和第2绝缘层之间具有导电层。