[发明专利]相变型光记录媒体无效

专利信息
申请号: 200410089695.1 申请日: 2004-10-29
公开(公告)号: CN1614704A 公开(公告)日: 2005-05-11
发明(设计)人: 中居司;芦田纯生;柚须圭一郎;塚本隆之;大间知范威;中村直正;市原胜太郎 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 岳耀锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种相变型光记录媒体,具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层;配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层;以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层,第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜,噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
搜索关键词: 相变 记录 媒体
【主权项】:
1、一种相变型光记录媒体,具有:配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层;配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层;以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层,上述第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与上述层间分离层接触的噪声缓和膜,上述噪声缓和膜包含从SiOx(1≤x≤2)、SiOC、MgOx(1≤x≤2)、Al2O3、Si-Al-O(莫来石)、Yb2O3、Si3N4、BaF2、BiF3、CeF3、LaF3、NdF3、CeF3、PbF2、DyF2、GdF3、HoF3、NdF3、SrF2、ThF4、YbF3、YF3、AlF3、CaF2、MgF2、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、LiF、ThO2、La2O3、Gd2O3、Bi2O3、HfO2、Nd2O3、Sb2O3、Sc2O3、V2O5、Y2O3、AlN、CeO2、Ho2O3、In2O3、SnO2、Pr6O11、ZnO构成的组中选择的至少一种物质。
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