[发明专利]快闪存储单元及其制造方法

摘要

一种快闪存储单元，其由井区、深井区、栅极堆栈结构、源极区、漏极区、选择栅极、栅介电层、浅掺杂区、深掺杂区与导电插塞所构成。其中，深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。栅极堆栈结构配置在基底上。源极区与漏极区分别配置在栅极堆栈结构两侧的基底中。选择栅极配置在栅极堆栈结构与源极区之间，且位于栅极堆栈结构的侧壁与部分的基底上。栅介电层配置在选择栅极与栅极堆栈结构及基底之间。浅掺杂区配置在栅极堆栈结构与选择栅极下方的基底中。深掺杂区配置在栅极堆栈结构一侧边的基底中。导电插塞配置在基底上，且向下延伸穿过漏极区与部分的深掺杂区。深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。

主权项

1、一种快闪存储单元的制造方法，包括：于一第一导电型基底中形成一第二导电型深井区；于该第二导电型深井区中形成一第一导电型井区；于该第一导电型井区中形成一第二导电型浅掺杂区，该浅掺杂区邻接该基底表面；于该基底上形成一栅极堆栈结构，该栅极堆栈结构从该基底起依序为一穿隧层、一浮置栅极、一栅间介电层与一控制栅极；于该栅极堆栈结构与该基底表面形成一栅介电层；于该栅极堆栈结构的一侧壁上形成一选择栅极，并且移除未被该选择栅极覆盖的该栅介电层；于相对于该栅极堆栈结构的该侧壁的另一侧边的该基底中形成一第二导电型深掺杂区，其中该深掺杂区与该浅掺杂区邻接；于该选择栅极与该栅极堆栈结构侧边分别形成一源极区与一漏极区，其中该源极区形成于该选择栅极侧边的该基底中，而该漏极区形成于该栅极堆栈结构侧边的该基底中；于该基底上形成一介电层，覆盖该栅极堆栈结构与该基底，且该介电层中形成一接触窗开口，以暴露出部分该漏极区及该深掺杂区；以及于该接触窗开口中形成一导电插塞。