[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

一种可由用户方写入数字数据的ROM。在各存储晶体管上交替多个层积绝缘层、多个金属层(包含作为最上层的金属层的位线BL)的ROM的存储单元阵列MA中，在设置于第一层间绝缘层18的第一接触孔FC2内的W(钨)插塞上形成绝缘层INS。并且，本发明根据是否由从位线BL施加的规定的写入电压(高电压)对绝缘层INS进行绝缘破坏来向各存储晶体管写入数字数据“1”或“0”。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：存储晶体管；与所述存储晶体管的栅极连接的字线；在所述存储晶体管上交替层积的多个层间绝缘层以及多个金属层；由最上层的所述金属层构成的位线；在所述多个层间绝缘层上分别设置的多个接触孔；在所述多个接触孔内分别埋入、并可与所述金属层连接的金属插塞；将所述金属层和所述金属插塞之间绝缘的绝缘层，其中，通过由从所述位线向所述绝缘层施加的规定的电压使所述绝缘层绝缘破坏，从而将数据写入所述存储晶体管。