[发明专利]静电破坏保护装置有效
| 申请号： | 200410089762.X | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1614779A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安藤亮一;植本彰;垣内俊雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62;H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 破坏 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电破坏保护装置，其特征在于，具有与被保护设备连接的端子和在该端子和规定的电位之间串联的多个保护晶体管，所述保护晶体管的衬底与其保护晶体管和与此邻接的保护晶体管的连接点连接。
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