[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200410089856.7 | 申请日: | 2004-10-27 |
公开(公告)号: | CN1767221A | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
发明(设计)人: | 张智松;陈泽澎 | 申请(专利权)人: | 国联光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 徐申民 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管及其制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法特征在于,发光二极管的结构中具有外延结构、反射层、以及传导层等组件,其中外延结构与传导层可利用反射层本身,或额外的透明导热胶粘合;反射层用来使外延结构所发出的光可更有效率地反射;且传导层用来增强发光二极管的散热效果。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包含:传导层,该传导层用来传导该发光二极管所产生的热;反射层,位于该传导层上;以及外延结构,设于该反射层上,其中该外延结构中至少包括多个III-V族化合物半导体外延层,该些III-V族化合物半导体外延层更至少包括依序堆栈的一第一电性半导体层、一多重量子阱结构以及一第二电性半导体层,当通入电流后产生光。
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