[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410089872.6 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1767222A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杜全成;黄宝亿;吴仁钊 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法。本发明的发光二极管至少包括由下往上堆栈的第一电性半导体层、主动层、以及第二电性半导体层等，其中至少主动层与第二电性半导体层具有不规则形状的侧边及/或至少一个凹槽，以提高光射出到发光二极管外的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：第一电性半导体层；主动层，位于所述第一电性半导体层上；以及第二电性半导体层，位于所述主动层上，其中至少所述主动层与所述第二电性半导体层的至少一侧边为不规则形状，以降低从所述主动层射出的光被反射的机率，而使得从所述主动层射出的光能穿越所述至少一侧边并射出到所述发光二极管外。
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