[发明专利]用于ESD保护的半导体集成电路器件无效
申请号: | 200410089951.7 | 申请日: | 2004-08-27 |
公开(公告)号: | CN1624913A | 公开(公告)日: | 2005-06-08 |
发明(设计)人: | 佐藤洋一;清俊和;山口明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L27/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 包于俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体集成电路器件包括:在半导体芯片中形成的半导体集成电路,在所述半导体芯片中形成的、电流路径的一端以及另一端与所述半导体集成电路连接的开关元件,所述开关元件接收控制信号,通过双向动作使电流从所述电流路径的一端流向另一端。此外,该半导体集成电路器件还包括在所述半导体芯片中形成的、控制所述开关元件的电流路径的导通状态的控制电路,在所述电流路径两端的电压超过规定电压值的情况下,所述控制电路输出使所述开关元件的电流路径处于可导通状态的控制信号,在不超过所述规定电压值的情况下,使所述开关元件的电流路径处于非导通状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 esd 保护 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成电路器件,其特征在于,包括:在半导体芯片中形成的半导体集成电路;在所述半导体芯片中形成的、电流路径的一端以及另一端与所述半导体集成电路连接的开关元件,所述开关元件接收控制信号,通过双向动作使电流从所述电流路径的一端流向另一端;和在所述半导体芯片中形成能够控制所述开关元件的电流路径的导通状态的构成的控制电路,在所述电流路径两端的电压超过规定电压值的情况下,所述控制电路输出使所述开关元件的电流路径处于可导通状态的控制信号,在不超过所述规定电压值的情况下,使所述开关元件的电流路径处于非导通状态。
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