[发明专利]半导体器件及驱动其单元组件的控制方法和装置有效
申请号: | 200410090013.9 | 申请日: | 2004-09-10 |
公开(公告)号: | CN1601753A | 公开(公告)日: | 2005-03-30 |
发明(设计)人: | 马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽;马莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种固态成像器件,例如CMOS传感器,包括:具有用于产生电荷信号的电荷产生单元的单元像素;浮点扩散单元(floating diffusion),用于累积由所述电荷产生单元产生的所述信号电荷;转移栅极晶体管,用于将所述电荷产生单元中的所述信号电荷转移到所述浮点扩散单元;复位晶体管,用于使所述浮点扩散复位;以及放大晶体管,用于根据由所述电荷产生单元产生的所述信号电荷产生信号并将所述信号输出到垂直信号线。将用于驱动所述复位晶体管的复位脉冲的宽度充分地降低到例如小于或等于在响应于所述复位脉冲的所述垂直信号线上产生的信号的响应时间的1/2,并且优选为小于或等于所述响应时间的1/5。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 驱动 单元 组件 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:信号采集单元,包括单元组件,该单元组件包括:电荷产生单元,用于产生响应于入射电磁波的信号电荷;电荷累积单元,用于累积由所述电荷产生单元产生的信号电荷;信号产生单元,用于根据在所述电荷累积单元中累积的信号电荷来产生信号;以及复位单元,用于使所述电荷累积单元复位;以及驱动控制单元,用于利用控制脉冲以便使所述电荷累积单元达到复位电平,以增加在所述电荷累积单元中待累积的电荷量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的