[发明专利]半导体晶片的制造方法

摘要

一种半导体晶片的制造方法，包括：使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用研磨装置的研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用薄膜生成装置用的薄膜生成手段在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在一体化工序中，在支持衬底背面，粘附可剥离的保护带实施上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序，即使是100μm以下极其之薄加工也不会使半导体晶片产生弯曲，在其半导体晶片背面能形成均匀不含有杂质的高精度薄膜，能使半导体晶片更加薄型化。

主权项

1.一种半导体晶片的制造方法，用于表面上形成了电路的半导体晶片的背面上形成薄膜，其特征是至少，包括有平坦的支持面的支持衬底支持半导体晶片的表面，使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用具有保持半导体晶片的吸盘台和研磨该吸盘台上所保持的半导体晶片背面的研磨手段的研磨装置，把成为整体的支持衬底侧保持在该吸盘台上，用该研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用具有保持半导体晶片的吸盘台和在该吸盘台上所保持的生成薄膜的薄膜生成手段的薄膜生成装置，把成为整体的支持衬底侧保持在该吸盘台上，用该薄膜生成手段而在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在上述一体化工序中，在上述支持衬底背面，粘附可剥离的保护带进行上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序。