[发明专利]分段场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410090135.8 | 申请日： | 2004-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1627531A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张郢;布鲁斯·B·多丽丝;托马斯·萨弗隆·卡纳斯克;杨美基;贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种场效应器件，具有由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。通过首先在掩蔽的绝缘体中形成器件，然后通过几个蚀刻步骤将该形成体转移到SOI层内，在SOI技术中制备器件。分段的场效应器件将FinFET或全耗尽的绝缘体上硅FET型器件与全耗尽的平面器件组合。该组合能用FinFET型器件控制器件的宽度。分段的FET器件能够为给定的布图设计区域提供高电流驱动并能制备高性能的处理器。 | ||
| 搜索关键词： | 分段 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应器件，包括：由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。
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