[发明专利]光电元件及光电元件的形成方法无效
| 申请号： | 200410090189.4 | 申请日： | 2004-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1601758A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 近藤隆治;佐野政史;高井康好;东川诚;都築英寿;中村哲郎 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L31/04;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光电元件及光电元件的形成方法。该光电元件，具有在基板上串联配置了第一pin结和第二pin结的结构，所述第一pin结的i型半导体层由非晶质硅构成，所述第二pin结的i型半导体层包含晶质硅，该光电元件在上述第一pin结的p/i界面中具有第一中间层，n/i界面中具有第二中间层，在上述第二pin结的p/i界面中具有第三中间层，n/i界面中具有第四中间层，上述第二中间层和第三中间层由非晶质硅构成，且上述第一中间层和第四中间层包含晶质硅，或者，上述第二中间层和第三中间层包含晶质硅，且上述第一中间层和第四中间层由非晶质硅构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电元件，形成在基板上，其特征在于：至少具有分别包含导电类型和/或形状不同的晶质硅的第一半导体层和第二半导体层，在上述第一半导体层与第二半导体层的层间，配置由非晶质构成的中间层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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