[发明专利]外谐振腔半导体激光器及其制造方法无效
申请号: | 200410090310.3 | 申请日: | 2004-05-21 |
公开(公告)号: | CN1700540A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 大卫·W·沙拉;罗辉 | 申请(专利权)人: | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/14 | 分类号: | H01S5/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种用于外谐振腔单模式激光器的设计,其中用于光谐振腔(例如,~3-25mm)的短光学路径长度提供允许单波长选择元件例如微加工标准具的纵向模式的足够空间,以便提供单一模式操作和可选的可选择操作模式。 | ||
搜索关键词: | 谐振腔 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造微加工标准具的方法,包括:提供具有第一和第二相对表面的晶体衬底;在该衬底的第一表面之上提供间隔层,该间隔层具有一个外表面;形成一个从第一表面延伸穿过该衬底直到第二表面的通孔,该通孔具有与该间隔层的暴露部分相邻的基底;以及在该间隔层的该外表面之上提供第一干涉滤光片并在该间隔层的该暴露部分之上提供第二干涉滤光片,以便在干涉滤光片之间提供标准具。
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