[发明专利]半导体存储设备及其制造方法

摘要

一种半导体存储设备及其制造方法，在本发明中，首先，与现有技术相同，用行冗余或列冗余修复失效的单元，然后，对于不能利用行或列冗余修复的剩余的失效单元，通过增加刷新次数，使其大于正常单元的刷新次数，能够修复更多的失效单元。

主权项

1.一种具有以阵列形式排列的存储单元的半导体存储设备，其中在所述存储单元中，失效单元的刷新周期比正常存储单元的短，所述半导体存储设备包括：根据用于进行所述储单元刷新的刷新命令而产生的控制信号；计数器，用于根据控制信号来更新内部地址；刷新冗余ROM，具有以矩阵形式排列的多个开关和熔丝，以及判断电路，其中不熔断多个熔丝中与具有较差刷新特性的存储单元的内部行地址相对应的熔丝；以及行预译码器，其中当所述行预译码器接收到在所述计数器中产生的内部行地址时，如果所述行预译码器接收到来自所述判断电路的、表示没有熔断与所述内部行地址相对应的熔丝的符合信号，则所述行预译码器将从所述计数器输出的内部行地址的MSB设置为指定的数据。