[发明专利]半导体内存元件及其制造方法

摘要

本发明是关于一种半导体内存元件及其制造方法，其中半导体内存元件包括主动区(101)、多个浮置闸极(103)及多个控制闸极(104)、一层内层绝缘层(109)与多个导体部(106)。其中主动区(101)包括多个在第一方向上延伸的主动区列(52)以及多个在第二方向上延伸且具有多个凹陷部(105)的主动区行(53)，其中第二方向是与第一方向垂直。浮置闸极(103)及控制闸极(104)是配置在主动区列(52)上。内层绝缘层(109)是配置在主动区(101)及控制闸极(104)上，其是作为位于一上层导线(110)下方的材料层。导体部(106)是与上层导线(110)及该主动区(101)电性连接，且分别位于主动区行(53)的凹陷部(105)之上。

主权项

1、一种半导体内存元件，其特征在于其包括：一主动区，其包括多数个在第一方向上延伸的主动区列以及多数个在第二方向上延伸且具有多数个凹陷部的主动区行，其中该第二方向与该第一方向垂直；多数个浮置闸极及多数个控制闸极，其配置在该主动区列上；一内层绝缘层，配置在该主动区及该些控制闸极上，其作为位于一上层导线下方的材料层；以及多数个导体部，其与该上层导线及该主动区电性连接，且分别位于该些主动区行的该些凹陷部之上。