[发明专利]半导体发光元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光元件及其制作方法，本发明是在该第一电极与部分的反射层区域外镀上一阻隔壁，再以电镀方式在前述非阻隔壁的区域上形成一金属柱，利用一准分子激光均匀照射在蓝宝石基底上，促使其脱离该半导体缓冲层，以及以腐蚀法腐蚀该第一导电性外延层的表面，使其表面形成一粗糙面；通过该导热良好的金属柱使得封装后的半导体发光元件的导电电极具有良好的散热性，需大电流的高功率蓝色及绿色发光二极管将可使元件本身具有良好的散热性，同时，表面形成粗糙表面的第一导电性外延层的光的取出效率将会因全反射机率的降低而增加，从而使得半导体发光元件的亮度增加。

主权项

1.一种半导体发光元件的制作方法，是针对蓝宝石基底(10)的发光元件，在其上生长具有P/N接面的发光二极管外延层，包括至少一第一导电性外延层(30)、一发光的活性层(40)、一第二导电性外延层(50)、一欧姆接触层(60)，其制程为先形成一半导体缓冲层(20)，再形成前述必要的堆栈层，及一反射层(70)，和一第一电极(31)，位于前述堆栈结构的所述第一导电性外延层(30)暴露出的部分；其特征在于，所述后续制程的方法为：在所述第一电极(31)与部分的反射层(70)区域外，形成一阻隔壁(80)层；以及以电镀方式在前述非阻隔壁(80)的区域上形成一不低于所述阻隔壁(80)厚度的金属柱(90)，作为整个半导体发光元件的具有良好的散热性、及支撑功能的电极；进一步利用一准分子激光均匀照射在所述蓝宝石基底(10)上，促使所述蓝宝石基底(10)脱离所述半导体缓冲层(20)；再进一步利用溶液腐蚀所述第一导电性外延层(30)的表面形成一粗糙面，使得所述第一导电性外延层(30)的光的全反射机率降低，从而增加半导体发光元件的光的取出效率。