[发明专利]堆叠式电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 200410090481.6 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1773710A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/02;H01G4/30;H01G4/33;H01G4/005;H01G4/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种具有指叉电极的堆叠式电容器及其制备方法。本发明的堆叠式电容器包含一下指叉电极、一上指叉电极以及一设置于该下指叉电极及该上指叉电极之间的介电材料。该下指叉电极与上指叉电极各包含一体部以及多个电气连接于该体部的指部。该介电材料可为氮化硅或二氧化硅，该下指叉电极与该上指叉电极的指部是由不同导电材料构成。优选地，该下指叉电极的指部可由氮化钛构成，该上指叉电极的指部是由多晶硅构成，且该下指叉电极与上指叉电极的体部是由氮化钛构成。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种堆叠式电容器，包括：一上指叉电极；一下指叉电极；以及一介电材料，设置于该上指叉电极与该下指叉电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂德科技股份有限公司，未经茂德科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410090481.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
