[发明专利]具有晶片上参考电压产生器的半导体装置有效
| 申请号： | 200410090601.2 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1622469A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 曹永载;李承勋 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/34 | 分类号： | H03M1/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在单晶片上形成模拟到数字转换器。所述单晶片的模拟到数字转换器包括用于产生N个参考电压的晶片上参考电压产生器，N是为正整数；及用于使用参考电压将输入的模拟信号转换成数字信号的转换装置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶片 参考 电压 产生器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种建置在单晶片中的模拟到数字转换器，包括：用于产生N个参考电压的晶片上参考电压产生器，N是为正整数；及用于通过使用参考电压将输入的模拟信号转换成数字信号的转换装置。
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