[发明专利]p通道电荷捕捉记忆元件的编程与擦除方法

摘要

本发明是关于一种p通道电荷捕捉记忆元件的编程与擦除方法，其中记忆元件包括一n型基底与形成于其上的数个记忆单元，每一记忆单元对应一字线、一第一位线与一第二位线，且记忆单元包含用来各储存一个位信息的第一位部位与第二位部位。这种方法包括藉由供应一第一负偏压至一被选记忆单元的字线与供应一接地偏压至第一与第二位线来重设被选记忆单元，以及藉由供应一第一正偏压至被选记忆单元的字线、供应一第二负偏压至被选记忆单元的第一位线及供应一接地偏压至被选记忆单元的第二位线来编程被选记忆单元的第一位部位。

主权项

1、一种操作记忆元件的方法，其中该记忆元件包括一n型基底与形成于其上的多数个记忆单元，每一记忆单元包含一控制闸极、一源极区、一汲极区、定义于该源极区与该汲极区间的一通道区、在该通道区上提供的一捕捉层、在该捕捉层与该通道区间提供的一第一绝缘层以及在该捕捉层与该控制闸极间提供的一第二绝缘层，其中该控制闸极对应于一字线、该源极区对应于一第一位线且该汲极区对应于一第二位线，以及其中每一记忆单元包含用来各储存一个位信息的一第一位部位与一第二位部位，其特征在于其包括以下步骤：重设一被选记忆单元，包括：供应一第一负偏压至该被选记忆单元的该字线；以及供应一接地偏压至该第一位线与该第二位线；以及编程该被选记忆单元的该第一位部位，包括：供应一第一正偏压至该被选记忆单元的该字线；供应一第二负偏压至该被选记忆单元的该第一位线；以及供应一接地偏压至该被选记忆单元的该第二位线。