[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410090934.5 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1617353A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 安冈秀记;吉住圭一;纐缬政巳 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 针对对于具有高击穿电压场效应晶体管的半导体器件的扭结效应进行抑制或防止的目的，在高击穿电压pMIS的沟道区沿栅极宽度方向两端的每个沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中，在远离高击穿电压pMIS的每个具有场缓和功能的p－型半导体区的位置，设置具有与用作高击穿电压pMIS的源极和漏极的p+型半导体区相反的导电类型的n+型半导体区，从而不与p－型半导体区(特别是在漏极侧)相接触。n+型半导体区延伸到比沟槽型隔离部分更深的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的高击穿电压场效应晶体管；从沟道区的栅极宽度方向看，在高击穿电压场效应晶体管的沟道区两端设置的沟槽型隔离部分；半导体衬底；第一导电类型半导体区，与沟道区具有相同的导电类型，并且杂质浓度比沟道区高；以及与高击穿电压场效应晶体管的第一导电类型相反的第二导电类型的漏极半导体区，其中将第一导电类型半导体区设置在远离位于沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域之内的漏极半导体区的位置，从而不与漏极半导体区相接触。
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