[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410090965.0 | 申请日： | 2004-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1713384A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 水岛一郎;甲斐彻哉;小泽良夫;村冈浩一;中村新一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L29/78;H01L21/8239;H01L21/8229 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
