[发明专利]TFT阵列驱动电流测定方法及装置无效

专利信息
申请号: 200410091028.7 申请日: 2004-11-16
公开(公告)号: CN1619322A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: 木暮将之;三宅泰弘 申请(专利权)人: 安捷伦科技公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R19/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟;林建成
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明目的在于高速、高精度地测定TFT阵列像素驱动电流。通过测定TFT阵列像素驱动电流的测定方法加以解决,包括:流到阵列驱动电流线的阵列驱动电流包含像素驱动电流成份与偏置电流成份,且对于复数个像素的一部分或全部的测定像素,包含阵列驱动电流测定步骤,其以特定时间间隔依次测定各测定像素驱动时的上述阵列驱动电流,偏置电流测定步骤,其于未实施阵列驱动电流测定步骤时测定偏置电流成份,偏置电流计算步骤,其根据复数个偏置电流的测定结果从而计算测定像素的阵列电流测定时的偏置电流,以及像素驱动电流计算步骤,其根据阵列电流测定步骤测定结果与偏置电流计算步骤计算结果的差值从而计算复数个像素的各像素的像素驱动电流。
搜索关键词: tft 阵列 驱动 电流 测定 方法 装置
【主权项】:
1.一种TFT阵列像素驱动电流测定方法,其特征为具有配置为阵列状的复数个像素,以及供给像素驱动电流到上述复数个像素的各像素的阵列驱动电流线,流到上述阵列驱动电流线的阵列驱动电流包含上述像素驱动电流成份与偏置电流成份,且对于上述复数个像素的一部分或全部测定像素,包含阵列驱动电流测定步骤,其以特定时间间隔依次测定上述各测定像素驱动时的上述阵列驱动电流,偏置电流测定步骤,其于未实施上述阵列驱动电流测定步骤时,测定上述偏置电流成份,偏置电流计算步骤,其根据复数个上述偏置电流的测定结果,计算上述测定像素于阵列电流测定时的上述偏置电流,以及像素驱动电流计算步骤,其根据上述阵列电流测定步骤的测定结果与上述偏置电流计算步骤的计算结果的差值,计算上述复数个像素的各像素的上述像素驱动电流。
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