[发明专利]一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器

摘要

本发明涉及一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器，属于半导体器件设计领域，该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成，其特征在于，该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。本发明最主要的特点是隧穿势垒通过双异质结实现，可以实现结晶完美的双势垒隧穿层，可以在较大的隧穿层厚度的条件下，解决传统非挥发存储器中读写速度、编程电压和数据保存时间之间的矛盾，能够在保证读写速度和数据保存时间的同时降低编程电压，从而降低功耗。

主权项

1、一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器，该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成，其特征在于，该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。