[发明专利]IC、IC上的随机存取存储器和保持IC中性能的方法有效
| 申请号： | 200410091229.7 | 申请日： | 2004-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1641877A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | W·R·达克特拉;L·L·休;R·V·乔西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)、在IC上的随机存取存储器以及中和器件浮体效应的方法。浮体效应监视器监视电路/阵列活动，并选择性地提供表示没有活动的浮体效应的指示，包括从最近的活动或存储器存取之后经过的时间。脉冲产生器根据没有活动的指示产生中和脉冲。中和脉冲分配电路将中和脉冲传送到电路路径中的块或阵列单元。 | ||
| 搜索关键词： | ic 随机存取存储器 保持 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：至少一个对浮体效应敏感的电路路径；本体效应监视器，监视所述至少一个电路路径的电路活动，在被监视的电路不活动时选择性地提供所述本体效应充电的指示；脉冲产生器，根据所述浮体效应的指示产生中和脉冲；以及中和脉冲分配电路，为所述电路路径中的块提供所述中和脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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