[发明专利]单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法无效
| 申请号： | 200410091457.4 | 申请日： | 2004-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1603807A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨海方;刘立伟;金爱子;顾长志;吕力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单根一维纳米材料的测试电极及制备方法，电极包括：厚度为0.5mm～2mm的衬底，衬底上面一层为绝缘层，在绝缘层上分布着所要测量的单根一维纳米材料，金属电极包括与一维材料接触的电极线部分和用于引线的连接部分，其形状及尺寸与单根一维纳米材料相适配。该方法应用具有移动精度为2nm的激光干涉样品台的电子束曝光系统，利用高分辨率的聚焦离子束系统制做的标记实现单根一维纳米材料在基片上的精确定位，同时可根据单根一维纳米材料的不同形状及尺寸来设计所需电极图形，是一快速、高效、无污染、可靠性高的制作单根一维纳米材料测试电极的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单根一维 纳米 材料 测试 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种单根一维纳米材料的测试电极，其特征在于，包括厚度为0.5mm～2mm的衬底，衬底上面设有一层绝缘层，在绝缘层上分布有所要测量的单根一维纳米材料，金属电极包括与一维材料接触的电极线部分和用于引线的连接部分，其形状及尺寸与单根一维纳米材料相适配。
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