[发明专利]移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法无效
| 申请号： | 200410091565.1 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1645570A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林世和;陈俊彰;陈科维;张仕宗;陈朝隆;施博仁;林俞谷;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/326;B01F17/42 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;贾敬东 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法，其是揭露一种用以移除晶片表面可能污染元件的颗粒的电抛光法。此方法是包括将晶片浸润于一电抛光用的电解液中，并通过晶片与电解液间所产生的旋转摩擦力以及电解作用而将晶片表面的缺陷以及颗粒移除。此方法是有效于移除所有大小尺寸的孔洞开口处的颗粒，且包含具有宽度小于0.2μm的通孔开口。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 颗粒 金属 方法 | ||
【主权项】：
1.一种移除晶片上颗粒的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一电抛光用的电解液；于该电解液中旋转该晶片；以及施加一电流至该晶片以给予该晶片一正电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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