[发明专利]半导体集成电路及微处理器单元切换方法无效
申请号: | 200410091665.4 | 申请日: | 2004-11-24 |
公开(公告)号: | CN1622331A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 田中功;高井裕司;水野洋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;G06F13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体集成电路及微处理器单元切换方法。在通常动作时,用低阈值电压的晶体管进行处理,另外,在待机时等,用高阈值电压的晶体管进行处理,使高速动作和低漏电流并存。在具有构成的晶体管的阈值电压高的第1MPU和阈值电压低的第2MPU的MPU中,在需要高速动作的通常动作时,开始在预定的命令序列中出现的MPU切换命令,使第1MPU的数据保存到外部存储单元,在将控制切换到第2MPU后,将该数据传送到第2MPU,并且,使电源控制单元进行第1MPU的电源的断开。另外,当从通常动作切换到待机时,用与上述相反的顺序切换第1MPU和第2MPU。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 微处理器 单元 切换 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,具有处理预定的命令序列的微处理器单元,其特征在于:具有控制向上述微处理器单元的电源供给的电源控制单元;上述微处理器单元,具有第1微处理器单元和第2微处理器单元,上述第1微处理器单元由具有第1阈值电压的晶体管构成,上述第2微处理器单元由具有比上述第1阈值电压低的第2阈值电压的晶体管构成,并与上述第1微处理器单元是命令集互换的;上述预定的命令序列,由上述第1和第2微处理器单元构成的上述微处理器单元执行,在由进行预定的运转率的通常动作的第1动作模式和进行比上述第1动作模式运转率低的动作的第2动作模式构成的处理中,具有第1 MPU切换命令和第2 MPU切换命令;上述第1 MPU切换命令,作为上述第1微处理器单元接受的命令,当运转率从上述第2动作模式向上述第1动作模式变化时,进行从上述第1微处理器单元向上述第2微处理器单元的切换,上述第2MPU切换命令,作为上述第2微处理器单元接受的命令,当运转率从上述第1动作模式向第2动作模式变化时,进行从上述第2微处理器单元向上述第1微处理器单元的切换;由上述第1微处理器单元和第2微处理器单元构成的上述微处理器单元,在上述第2动作模式转移时,已接受了上述第2 MPU切换命令的上述第2微处理器单元接通上述第1微处理器单元的电源,并且,通过上述电源控制单元进行断开上述第2微处理器单元的电源的电源控制,在上述第1动作模式转移时,已接受了上述第1MPU切换命令的上述第1微处理器单元接通上述第2微处理器单元的电源,并且,通过上述电源控制单元进行断开上述第1微处理器单元的电源的电源控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410091665.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的