[发明专利]压电薄膜共振器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410091715.9 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1622453A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 井上宪司 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/15;H03H9/205;H03H3/02;G10K11/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供压电薄膜共振器及其制造方法。在由元件基板(11)和在该元件基板(11)上所形成的包括压电膜(14)在内的多层膜(12～15)来构成、并通过在前述压电膜(14)的内部传播的体声波得到规定的共振频率的信号的压电薄膜共振器(10)中，形成为多层膜(12)的端面位于较元件基板(11)的端面更靠内侧。借此，在处置压电薄膜共振器(10)时搬运工具(16)不接触多层膜(12～15)，膜剥离等多层膜(12～15)的损伤可以防患于未然。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 共振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电薄膜共振器，由元件基板和在该元件基板上所形成的包括压电膜在内的多层膜来构成，通过在所述压电膜的内部传播的体声波得到规定的共振频率的信号，其特征在于，所述多层膜的端面位于较所述元件基板的端面更靠内侧。
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