[发明专利]量子点形成方法有效
| 申请号： | 200410091873.4 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1797702A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 林孟东 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量子点形成方法。该量子点形成方法其包括以下步骤：首先，在一基底上形成一金属薄膜；采用原子力显微探针在上述金属薄膜上形成一纳米孔洞结构；然后，在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上沉积一第二膜层；最终，去除上述金属薄膜及位于金属薄膜上的第二膜层，进而在上述基底上获得一量子点。本发明所提供的量子点形成方法，是通过原子力显微探针首先形成预定尺寸的纳米孔洞结构，且由于金属具有有限的热膨胀系数，因此对设计的量子点尺寸可以有效控制。此外，本量子点形成方法可避免大量表面能态的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点形成方法，包括下列步骤：在一基底上形成一金属薄膜；采用原子力显微探针在上述薄膜上形成一纳米孔洞结构；在上述具有纳米孔洞结构的金属薄膜上形成一第二膜层；去除上述金属薄膜及位于金属薄膜之上的第二膜层，进而在上述基底上获得一量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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