[发明专利]一种超薄闸极氧化层及其成长方法无效
| 申请号： | 200410091877.2 | 申请日： | 2004-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1794426A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 廖伟见;李欣和 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超薄闸极氧化层，其包括具有均匀一致的厚度和孔洞的多孔二氧化硅薄膜。本发明还提供成长该超薄闸极氧化层的方法，采用直流叠加交流电阳极氧化法，以去离子水为电解液，在硅芯片上形成超薄闸极氧化层。本发明所提供的超薄闸极氧化层采用直流叠加交流电阳极氧化法，通过在阳极氧化的直流电上叠加固定频率的交流电，来调节电解液中电场分布情况，使电解液中离子获得重新分布机会，最终获得均匀性更佳、具有低漏电流的超薄闸极氧化层。该方法可广泛应用于制造各种金属氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 氧化 及其 成长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄闸极氧化层，其包括一多孔二氧化硅薄膜，其特征在于：所述多孔二氧化硅薄膜具有均匀一致的厚度和孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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