[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410092152.5 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1606172A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 西部荣次;八柳俊佑 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。其提高高击穿电压MOS晶体管的工作击穿电压。将N－型漏极层(4b)与栅电极(5)的下面重叠而形成在P型半导体衬底(1)的表面，向N－型漏极层(4b)施加比向栅电极(5)施加的栅极·源极间电压Vgs高的漏极·源极间电压Vds时，使栅电极(5)的下面N－型漏极层(4b)部分的表面耗尽化。由此，流到MOS晶体管的沟道电流Ie避免遇到N－型漏极层(4b)的端部表面的电场集中部分，而流经其耗尽层(7)的下方的N－型漏极层(4b)，因此，衬底电流Isub降低，工作击穿电压提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；在所述半导体衬底上介由栅极绝缘膜形成的栅电极；与所述栅电极的下面重叠而在所述半导体衬底的表面形成的低浓度漏极层；在所述半导体衬底的表面形成的高浓度漏极层；在所述半导体衬底的表面形成的源极层，当向所述高浓度漏极层施加比向所述栅电极施加的栅极·源极间电压Vgs高的漏极·源极间电压Vds时，使所述栅电极的下面的所述低浓度漏极层部分的表面耗尽化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410092152.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
