[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法。其提高了高击穿电压MOS晶体管的工作击穿电压，同时抑制热载流子造成的饱和电流Idsat的变动。其在P型半导体衬底(1)上形成栅极绝缘膜(2)。在栅极绝缘膜(2)上形成栅电极(3)。通过将栅电极(3)作为掩模，将双电荷磷离子(³¹P⁺⁺)进行倾斜离子注入，形成第一低浓度源极层(4a)和第一低浓度漏极层(5a)。另外，通过将磷离子(³¹P⁺)进行倾斜离子注入，形成第二低浓度源极层(4b)和第二低浓度漏极层(5b)。进而，为提高形成有第一低浓度源极层(4a)和第一低浓度漏极层(5a)、第二低浓度源极层(4b)和第二低浓度漏极层(5b)的P型半导体衬底(1)的最表面浓度，较浅地注入砷离子(⁷⁵As⁺)，形成表面注入层(4c、5c)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；在上述半导体衬底上介由栅极绝缘膜形成的栅电极；形成于上述半导体衬底的表面，延伸至上述栅电极下面的第一低浓度漏极层；形成于上述第一低浓度漏极层上的上述半导体衬底表面，具有比该第一低浓度漏极层浓度高的杂质的表面注入层；在所述半导体衬底的表面形成的高浓度漏极层。