[发明专利]抗蚀剂图形的形成方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410092193.4 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1630034A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 盐原英志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供的一种方式的抗蚀剂图形的形成方法，是一种使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 图形 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂图形的形成方法，是使用在抗蚀剂膜和物镜之间充满液体的状态下进行曝光的液浸型曝光装置形成抗蚀剂图形的方法，其包括如下步骤：在被处理基板上形成被加工膜；在形成了所述被加工膜的被处理基板上形成抗蚀剂膜；在所述抗蚀剂膜上形成对于所述液体不溶的抗蚀剂保护膜；以及在形成所述抗蚀剂保护膜之后对所述抗蚀剂膜进行曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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