[发明专利]光感测元件的结构和制作方法无效
| 申请号： | 200410092214.2 | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1770480A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 黄明政;徐震球 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/10;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光感测元件的制作方法。首先，提供一基板，基板上形成有至少一金属间介电层，金属间介电层包括多个感光区，及多个金属图案形成于金属间介电层上，其中每一金属图案不覆盖该些感光区。接着，形成一介电层于金属间介电层上，并平坦化介电层。如此，介电层经由平坦化后的表面较现有技术的有机平坦化层平坦，可克服现有技术黄色条纹(Yellowstrip)的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光感测 元件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种光感测元件的制作方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板上形成有至少一金属间介电层，该金属间介电层包括多个感光区，及多个金属图案形成于该金属间介电层上，其中每一金属图案不覆盖该些感光区；形成一介电层于该金属间介电层及该些金属图案上；及平坦化该介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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