[发明专利]集成半导体内存

摘要

本发明是说明一集成半导体内存(1)，其具有一记忆胞元，其包含一储存电容器(3)与一选择晶体管(4)，其可被一位线(5)与一字符线(6)驱动，所述的选择晶体管具有一半导体材质所制区域(8)，其是邻接一栅极介电质(7)，且其中可形成一晶体管信道，且一源极/漏极布植(1 0)是被导入其中，藉以与所述的位线(5)电性连接。根据本发明，一肖特基(Schottky)接触(11)乃设于所述选择晶体管(4)与所述储存电容器(3)之间，而在靠近所述的肖特基(Schottky)接触11之处，所述的半导体材质所制区域(8)没有一源极/漏极布植的掺质。藉由在所述电容器侧免除一源极/漏极布植，漏电流乃得以降低而所述内存胞元的存写与读取速度亦得以提升。

主权项

1.一种集成半导体内存(1)，具有一内存胞元(2)，该内存胞元(2)具有一储存电容器(3)与一选择晶体管(4)，其可被一位线(5)与一字符线(6)驱动，所述的选择晶体管(4)具有一半导体材质所制区域(8)，其邻接一栅极介电质(7)，以及其中可形成一晶体管信道(9)，且在其中乃导入了一源极/漏极布植(10)，藉以与所述位线(5)电性连接，其中一肖特基(Schottky)接触(11)被提供于所述选择晶体管(4)与所述储存电容器(3)之间，且在靠近所述肖特基(Schottky)接触(11)之处，所述半导体材质所制区域(8)并没有一源极/漏极布植的掺质。