[发明专利]用于去除阻挡层的组合物和方法无效
| 申请号： | 200410092243.9 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1630045A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 卞锦儒 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;C09G1/02;C09G1/04;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于抛光半导体晶片的水性组合物，该晶片在存在电介质和互连金属的情况下包含钽阻挡层材料。该组合物包含具有足以促进钽阻挡层材料去除的浓度的唑类化合物。另外，该唑类化合物不会抑制互连金属的去除。该组合物还包含研磨剂。此外，该组合物具有较大的钽阻挡层材料相对于电介质的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 阻挡 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.适用于抛光半导体晶片的含水组合物，该晶片在存在电介质和互连金属的情形下包含钽阻挡层材料，所述组合物包含：具有足以促进钽阻挡层材料去除的浓度的唑类化合物，该唑类化合物不会抑制互连金属的去除；研磨剂；且其中所述组合物具有较大的钽阻挡层材料相对于电介质的选择性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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