[发明专利]表面发光型半导体元件及其制造方法

摘要

本发明通过在晶面指数为(100)面等的普通衬底上制作的表面发光型半导体激光元件中，在台面内部的Al高浓度层部分形成非对称的选择氧化结构，对有源层中心部分施加各向异性的应力，从而提高偏振控制性。

主权项

1.一种表面发光型半导体元件，其特征在于包括：衬底；形成在上述衬底的主表面上的、具有发光区域的半导体有源层；将上述半导体有源层夹在中间、形成垂直于上述衬底的谐振器的、第一半导体多层膜反射镜和第二半导体多层膜反射镜，所述第一半导体多层膜反射镜相对于上述半导体有源层形成在与上述衬底相反一侧，所述第二半导体多层膜反射镜相对于上述半导体有源层形成在上述衬底一侧；用于向上述半导体有源层注入电流的一对电极；形成在上述半导体有源层附近、具有多层包含Al的被氧化层的电流狭窄部分；沟深至少到达上述被氧化层的最上层的凹陷部分；以及，被上述凹陷部分围绕的台面部分，其中，上述电流狭窄部分包括：由上述多层被氧化层中的第一层数的上述被氧化层的侧部氧化而形成的第一电流狭窄部分、和由小于上述第一层数的第二层数的上述被氧化层的侧部氧化而形成的第二电流狭窄部分。